Unii europejskiej



Pobieranie 1.57 Mb.
Strona9/18
Data29.04.2016
Rozmiar1.57 Mb.
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   18

Uwagi do tabeli technik powlekania

1. Termin "technika powlekania" obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok, jak i nakładanie nowych.

2. Termin "powłoka z glinku stopowego" obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- albo wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek albo pierwiastki są nakładane przed albo podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet, jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Jednakże nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.

3. Termin "powłoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym" obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden albo kilka metali szlachetnych.

4. Termin "ich mieszaniny" obejmuje kombinacje, zawierające przesycony materiał powłoki podłoża, składników pośrednich, materiału współosadzonego oraz wielowarstwowego materiału osadzonego i będące wytwarzane jedną albo kilku technikami powlekania, wymienionymi w tabeli.

5. Przez termin "MCrAlX" należy rozumieć powłokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych ilościach dodatkowych, wynoszących wagowo powyżej 0,01 % w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem:

a. Powłok CoCrAlY, w których znajduje się wagowo poniżej 22 % chromu, poniżej 7 % aluminium i poniżej 2 % itru;

b. Powłok CoCrAlY, w których znajduje się wagowo 22 do 24 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,5 do 0,7 % itru; lub

c. Powłok NiCrAlY, w których znajduje się wagowo 21 do 23 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,9 do 1,1 % itru.

6. Termin "stopy aluminium" dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej.

7. Termin "stale odporne na korozję" odnosi się do stali serii 300 według AISI (American Iron and Steel Institute) lub równoważnych norm narodowych.

8. Do metali żarowytrzymałych zalicza się następujące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.

9."Materiały na okienka wziernikowe", takie jak: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu oraz następujące halogenki metali: materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu.

10. Kategoria 2 nie obejmuje kontrolą "technologii" jednoetapowego utwardzania techniką cieplno-chemiczną litych profili aerodynamicznych.

11. Polimery, takie jak: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.

12. Termin "zmodyfikowany tlenek cyrkonowy" odnosi się do tlenku cyrkonowego z dodatkami innych tlenków metali, np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków lantanowców itp. dodanymi w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i składników faz. Powłoki przeciwtermiczne wykonane z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie albo stapianie z tlenkiem wapnia albo magnezu, nie są objęte kontrolą.

13. Termin "stopy tytanu" odnosi się jedynie do stopów stosowanych w technice kosmicznej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej.

14. Termin "szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej" odnosi się do szkieł, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 1 × 10–7 K–1 lub mniej.

15. Termin "warstwy dielektryczne" odnosi się do powłok wielowarstwowych z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Warstwy dielektryczne odnoszą się do materiałów składających się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub warstw "kompozytów" dielektryk/metal.

16."Spiekany węglik wolframu" nie obejmuje materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/(kobaltu, niklu), węglika tytanu/(kobaltu, niklu), węglika chromu/nikiel-chrom i węglika chromu/nikiel.

17."Technologia" specjalnie zaprojektowana do nakładania węgla diamentopodobnego na jakikolwiek z niżej wymienionych produktów nie podlega kontroli:

dyski i głowice magnetyczne, urządzenia do wytwarzania produktów jednorazowych, zawory do kranów, membrany do głośników, części silników samochodowych, narzędzia tnące, matryce do tłoczenia-wykrawania, sprzęt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony, urządzenia medyczne.

18."Węglik krzemu" nie obejmuje materiałów dla narzędzi do cięcia i formowania.

19. Podłoża ceramiczne, w rozumieniu tej pozycji nie obejmują materiałów ceramicznych zawierających wagowo 5 % lub więcej gliny lub cementu, zarówno w postaci oddzielnych składników, jak i ich kombinacji.

Definicje procesów wymienionych w kolumnie 1 tabeli:

a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki albo modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, "kompozytu", dielektryka albo materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład albo łączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop albo związek. Potrzebna do rozkładu związków albo do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę z wyładowań jarzeniowych lub za pomocą "lasera".



NB. 1: CVD obejmuje następujące procesy: osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane albo wspomagane za pomocą plazmy.

NB. 2: Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji.

NB. 3: Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.

b. Naparowywanie termiczne – fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w której do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja albo osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach.

Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazów do komory próżniowej podczas powlekania, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie.

Innym, powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów albo elektronów lub plazmy do intensyfikacji albo wspomagania osadzania powłoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki.

Wyróżnia się szczególne procesy TE-PVD, takie jak:

1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów – do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym – do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzającą wiązką jonów;

3. Odparowanie "laserowe" wykorzystujące ciągłą lub impulsową wiązkę "laserową" do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę;

4. Metoda osadzania za pomocą łuku katodowego wykorzystująca zużywającą się katodę wykonaną z materiału mającego stanowić powłokę; łuk wywoływany jest na powierzchni tego materiału poprzez chwilowy kontakt inicjujący. Kontrolowany ruch łuku powoduje erozję powierzchni katody, wytwarzając wysoko zjonizowaną plazmę. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody albo sama komora. Osadzanie w miejscach nieleżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża.

NB. Definicja ta nie obejmuje bezładnego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

5. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE- PVD, w której do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy albo jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwytywania z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.

c. Osadzanie fluidyzacyjne jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z:

1. Proszków metalicznych, mających ulec osadzeniu (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. Aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz

3. Proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.

Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1030 °K (757 °C) do 1375 °K (1102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.

d. Napylanie plazmowe jest procesem powlekania, w którym do pistoletu (pistoletu natryskowego) służącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku albo pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tego procesu jest napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością.



NB. 1: Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia.

NB. 2: Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 °K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.

e. Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu albo w piecu i obróbka cieplna, w wyniku czego powstaje powłoka o odpowiedniej charakterystyce.

f. Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w której naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.

NB. 1: Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych.

NB. 2: Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).

g. Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów albo rozpylaniem jonowym.



KATEGORIA 3

ELEKTRONIKA

3ASystemy, urządzenia i części

Uwaga 1: Poziom kontroli sprzętu i komponentów opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, specjalnie do nich zaprojektowanych albo posiadających te same cechy funkcjonalne co inny sprzęt, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu.

Uwaga 2: Poziom kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9 lub 3A001.a.12, zaprogramowanych na stałe bez możliwości wprowadzenia zmian albo przeznaczonych do specjalnych funkcji dla innego sprzętu, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu.

NB.: W razie, gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić poziomu kontroli innego sprzętu, poziom kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9. i 3A001.a.12. Jeżeli układ scalony jest krzemowym "układem mikrokomputerowym" lub mikrosterownikiem opisanym w pozycji 3A001.a.3. o długości słowa operanda (danych) 8 bitów lub mniej, poziom kontroli układu scalonego jest określony w pozycji 3A001.a.3.

3A001Komponenty elektroniczne, takie jak:

a. Układy scalone ogólnego przeznaczenia, takie jak:

Uwaga 1: Poziom kontroli płytek (gotowych albo niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001. a.

Uwaga 2: Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy:

"Monolityczne układy scalone";

"Hybrydowe układy scalone";

"Wieloukłady scalone";

"Układy scalone warstwowe", włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;

"Optyczne układy scalone".

1. Układy scalone zaprojektowane albo ulepszone do przeciwstawiania promieniowaniu jonizującemu, wytrzymujące:

a. Dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą;

b. Wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy;

c. Fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale.

Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c nie stosuje się do struktur metal – izolator – półprzewodnik (MIS).

2."Układy mikroprocesorowe", "układy mikrokomputerowe" i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub "optyczne układy scalone" do "przetwarzania sygnałów", sieci bramek programowalne przez użytkownika, tablice logiczne programowalne przez użytkownika, układy scalone na sieciach neuronowych, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie - programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), o jednej z poniższych właściwości:

a. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C);

b. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (– 55 °C); lub

c. Przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (– 55 °C) do 398 K (125 °C).

Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie stosuje się do układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych.

3."Układy mikroprocesorowe", "układy mikrokomputerowe" i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz;



Uwaga: Pozycja 3A001.a.3. obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

4. Pamięciowe układy scalone wytwarzane z półprzewodników złożonych.

5. Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe na układach scalonych, takie jak:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:



NB. PATRZ TAKŻE POZYCJA 3A101.

1. Rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 500 mln słów/sek;

2. Rozdzielczość 10 bitów lub większa, lecz mniej niż 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 200 mln słów/sek; lub

3. Rozdzielczość 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 50 mln słów/sek; lub

4. Rozdzielczość powyżej 12 bitów lecz równa lub mniejsza niż 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 5 mln słów/sek, lub

5. Rozdzielczość powyżej 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 1 mln słów/sek;

b. Przetworniki cyfrowo-analogowe o rozdzielczości 12 bitów lub większej, i "czasie ustalania" poniżej 10 ns.

Uwagi techniczne:

1.Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach.

2.Liczba bitów w słowie wyjściowym jest równa rozdzielczości przetwornika analogowo-cyfrowego.

3.Wielkość wyjściowa jest to maksymalna wielkość wyjściowa przetwornika, bez względu na architekturę czy oversampling. Sprzedawcy mogą także określać wielkość wyjściową jako wielkość próbkową, wielkość przetwarzania, lub przepustowość. Jest ona określana często w megahercach (MHz) lub mega próbkach na sekundę (MSPS).

4.Dla celów pomiarów wielkości wyjściowej jedno słowo wyjściowe na sekundę odpowiada jednemu hercowi lub jednej próbce na sekundę.

6. Elektrooptyczne układy scalone lub "optyczne układy scalone" do "przetwarzania sygnałów" posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Jedną lub więcej wewnętrzną diodę "laserową";

b. Jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz

c. Prowadnicę światłowodową.

7. Urządzenia logiczne programowalne przez użytkownika, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30000 (bramki dwuwejściowe);

b. Typowe "podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę" mniejsze niż 0,4 ns; lub

c. Częstotliwość przełączania powyżej 133 MHz.

Uwaga: Pozycja 3A001.a.7. zawiera:


  • Proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD)

  • Złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD)

  • Tablice bramek programowane przez użytkownika (FPGA)

  • Tablice logiczne programowane przez użytkownika (FPLA)

  • Połączenia wewnętrzne programowane przez użytkownika (FPIC)

NB.: Programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne, znane są również jako bramki programowalne przez użytkownika lub tablice logiczne programowalne przez użytkownika.

8. Nie używany.

9. Układy zintegrowanych sieci neuronowych.

10. Wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Ponad 1000 końcówek;

b. Typowe "podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę" mniejsze niż 1 ns; lub

c. Częstotliwość robocza powyżej 3 GHz.

11. Cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 3000 (bramki dwuwejściowe); lub

b. Częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz.

12. Procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2N)/20480 ms, gdzie N jest liczbą punktów.

Uwaga techniczna:

Gdy N jest równe 1024 punkty, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji wynosi 500 μs.

b. Komponenty mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych, takie jak:

1. Elektronowe lampy próżniowe i katodowe, takie jak:

Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, posiadającym wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a.Szerokość nie przekracza 31,8 GHz; oraz

b.Jest "przydzielane przez ITU" dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1. nie obejmuje kontrolą lamp nie będących "klasy kosmicznej", posiadających wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a.Średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz

b.Zaprojektowanych lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, posiadającym wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1.Szerokość przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz

2.Jest "rozdzielone przez ITU" dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

a. Lampy o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej, z tego:

1. Pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

2. Posiadające element podgrzewający katodę, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;

3. Sprzężone lampy wnękowe, albo ich pochodne o "ułamkowej szerokości pasma" powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;

4. Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

a."Chwilowa szerokość pasma" powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;

b."Chwilowa szerokość pasma" poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub

c. Posiadanie "klasy kosmicznej".

b. Wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;

c. Impregnowane katody zaprojektowane do lamp elektronicznych, wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2.

2. Mikrofalowe monolityczne układy scalone (MMIC) wzmacniaczy mocy, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

a. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 4 W (36 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 15 %;

b. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 16 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 10 %;

c. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,8 W (29 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 10 %;

d. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie;

e. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,25 W (24 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 10 %; lub

f. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz.



Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje sprzętu satelitów radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie częstotliwości od 40,5 GHz do 42,5 GHz.

Uwaga 2: Poziom kontroli MMIC, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.f, jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej.

Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w nagłówku Kategorii 3 oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą MMIC-ów, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych.

3. Dyskretne tranzystory mikrofalowe, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

a. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 60 W (47 dBm);

b. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 20 W (43 dBm);

c. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,5 W (27 dBm);

d. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm);

e. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz.

Uwaga: Poziom kontroli tranzystora, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a. do 3A001.b.3.e., jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej.

4. Mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające wzmacniacze mikrofalowe, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

a. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 60 W (47,8 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 15 %;

b. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 15 W (42 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 10 %;

c. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie;

d. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm) z "ułamkową szerokością pasma" większą niż 10 %;

e. Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz; lub

f. Przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 3,2 GHz oraz posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech:

1. Średnia moc wyjściowa (w watach), P, większa niż 150 dzielone przez maksymalną częstotliwość pracy (w GHz) podniesione do potęgi drugiej [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. Ułamkowa szerokość pasma wynosząca 5 % lub więcej; oraz

3. Jakiekolwiek dwustronne, wzajemnie prostopadłe do siebie, o długości d (w cm) mniejszej lub równej niż 15 podzielone przez najniższą częstotliwość roboczą (w GHz) [d≤ 15cm*GHz/fGHz].

Uwaga techniczna:

Częstotliwość 3,2 GHz należy przyjąć jako najniższą częstotliwość roboczą (fGHz) we wzorze w pozycji 3A001.b.4.f.3 dla wzmacniaczy, których dolna granica znamionowej częstotliwości roboczej osiąga 3,2 GHz i jest niższa od [d=15 cm*GHz/3,2 GHz].

NB.: Pozycja 3A001.b.4. nie obejmuje kontrolą sprzętu satelitów radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie częstotliwości od 40,5 do 42,5 Ghz;

Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje układów ani modułów do urządzeń skonstruowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które spełnia następujące warunki:

Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej.

5. Filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów, umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmax/fmin) w czasie poniżej 10 μs, posiadające jedną z poniższych cech:

a. Szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub

b. Szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej.

6. Nie używany.

7. Mieszacze i konwertery przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości sprzętu opisanego w pozycjach 3A002.c., 3A002.e. lub 3A002.f. powyżej podanych tam wartości granicznych.

8. Mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy wyszczególnione w pozycji 3A001.b, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

a. Częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;

b. Średnia wyjściowa gęstość mocy większa niż 80 W/kg; oraz

c. Objętość mniejsza niż 400 cm3.



Uwaga: Pozycja 3A001.b.8. nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest "przydzielane przez ITU" dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

c. Urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty, w tym:

1. Urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne (tj. urządzenia do "przetwarzania sygnałów" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), posiadające jedną z następujących cech:

a. Częstotliwość nośną powyżej 2,5 GHz;

b. Częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nie przekraczającą 2,5 GHz, oraz posiadające jedną z poniższych właściwości:

1. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB;

2. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

3. Szerokość pasma większa, niż 250 MHz; lub

4. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

c. Częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz posiadające jedną z poniższych właściwości:

1. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

2. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

3. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB i szerokość pasma większa, niż 50 MHz.

2. Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne (tj. urządzenia do "przetwarzania sygnałów" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 1 GHz.

3. Urządzenia do "przetwarzania sygnałów" optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi albo powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów albo obrazów, włącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem.

d. Urządzenia lub układy elektroniczne, zawierające komponenty wykonane z materiałów "nadprzewodzących", specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej "temperatury krytycznej", co najmniej jednego z elementów "nadprzewodzących", posiadające jedną z następujących cech:

1. Przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek "nadprzewodzących", dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10– 14 J; lub

2. Selekcję częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10000.

e. Urządzenia wysokoenergetyczne, takie jak:

1. Baterie oraz zespoły fotowoltaiczne, takie jak:



Uwaga: Pozycja 3A001.e.1. nie obejmuje kontrolą baterii o objętościach równych lub mniejszych niż 27 cm3 (np. standardowe ogniwa C lub baterie R14).

a. Ogniwa i baterie galwaniczne o gęstości energii powyżej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniżej 243 °K (– 30 °C) do powyżej 343 °K (+70 °C);

b. Ogniwa i akumulatory doładowywane, o 'gęstości energii' powyżej 150 Wh/kg po 75 cyklach ładowania/rozładowania przy prądzie rozładowania równym C/5 godzin (C stanowi wartość pojemności nominalnej w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniżej 253 °K (– 20 °C) do powyżej 333 °K (+60 °C);

Uwaga techniczna:

'Gęstość energii' otrzymuje się mnożąc średnią moc w watach (średnie napięcie w woltach razy średni prąd w amperach) przez czas rozładowania do poziomu stanowiącego 75 % napięcia jałowego, wyrażony w godzinach oraz dzieląc przez całkowitą masę ogniwa (albo akumulatora) wyrażoną w kg.

c. Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi "zastosowań kosmicznych" lub odporne na promieniowanie jonizujące, o mocy jednostkowej przekraczającej 160 W/m2 w temperaturze roboczej 301 °K (+28 °C), po oświetleniu światłem o natężeniu 1 kW/m2 emitowanym przez włókno wolframowe o temperaturze 2800 °K (2527 °C);

2. Wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak.

NB.: Patrz także pozycja 3A201.a.

a. Kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 250 J/kg; oraz

3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 25 kJ;

b. Kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 50 J/kg;

3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 100 kJ; oraz

4. Żywotność mierzoną liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynoszącą więcej niż 10000.

3."Nadprzewodzące" elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s., posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

NB.: Patrz także pozycja 3A201.b.

Uwaga: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek "nadprzewodzących", specjalnie zaprojektowanych do aparatury zobrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie.

a. Energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

b. Średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz

c. Zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają "całkowitą gęstość prądu" w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2.

f. Urządzenia kodujące bezwzględne położenie wału, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

1. Rozdzielczość lepszą niż 1 część na 265000 (rozdzielczość 18 bitów) w pełnym zakresie; lub

2. Dokładność lepszą niż ± 2,5 sekundy kątowej.

3A002Sprzęt elektroniczny ogólnego przeznaczenia, taki jak:

a. Sprzęt do rejestracji i specjalnie zaprojektowane do nich taśmy testowe:

1. Analogowe oprzyrządowanie do rejestracji na taśmie magnetycznej, włącznie z urządzeniami umożliwiającymi zapis sygnałów cyfrowych (np. wykorzystując moduł do cyfrowego zapisu magnetycznego z dużą gęstością (HDDR)), posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

a. Szerokość pasma powyżej 4 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę;

b. Szerokość pasma powyżej 2 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę oraz posiadające więcej niż 42 ścieżki; lub

c. Uchyb przesunięcia czasu (bazy), mierzony stosownie do dostępnej dokumentacji IRIG lub EIA, mniejszy niż ± 0,1 μs.

Uwaga: Rejestratory analogowe na taśmie magnetycznej, specjalnie zaprojektowane do cywilnych zastosowań techniki wideo, nie są rozpatrywane jako oprzyrządowanie rejestratorów na taśmie magnetycznej.

2. Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej, posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości transmisji interfejsu cyfrowego przekraczającej 360 Mbit/s.



Uwaga: Pozycja 3A002.a.2 nie obejmuje kontrolą cyfrowych rejestratorów wideo na taśmie magnetycznej specjalnie przeznaczonych do rejestracji sygnału telewizyjnego z wykorzystaniem formatu sygnału, który może zawierać format sygnału skompresowanego, znormalizowanego lub zalecanego przez ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI lub IEEE do stosowania w telewizji cywilnej;

3. Cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji na taśmie magnetycznej, wykorzystujące techniki skanowania spiralnego lub głowicy stałej, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

a. Maksymalna szybkość transmisji interfejsu cyfrowego przekraczająca 170 Mbit/s; lub

b. Posiadanie "klasy kosmicznej";



Uwaga: Pozycja 3A002.a.3 nie obejmuje kontrolą rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej, wyposażonych w przetworniki elektroniczne HDDR oraz skonfigurowane do rejestracji wyłącznie danych cyfrowych.

4. Sprzęt, posiadający maksymalną szybkość transmisji interfejsu cyfrowego przekraczającą 175 Mbit/s, zaprojektowany do przekształcania cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych.

5. Przetworniki falowe oraz rejestratory stanów przejściowych posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech:

a. Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większą; oraz

b. Przepustowość ciągłą 2 Gbit/s lub większą.

Uwaga techniczna:

W przypadku urządzeń o równoległej architekturze szyn, przepustowość ciągłą określa się jako iloczyn największej prędkości przesyłu słów i liczby bitów w słowie.

Przepustowość ciągła oznacza największą prędkość przesyłania danych przez urządzenie do pamięci masowej, bez utraty informacji, z utrzymaniem prędkości próbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego.

6. Cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji danych, wykorzystujące techniki składowania na dyskach magnetycznych, posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech:

a. Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 100 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 8 bitów lub większą; oraz

b. Przepustowość ciągłą 1 Gbit/s lub większą.

b."Elektroniczne zespoły""syntezatorów częstotliwości" posiadające "czas przełączania częstotliwości" z jednej wybranej wartości na drugą mniejszy niż 1 ms;

c."Analizatory sygnałów" o częstotliwościach radiowych, takie jak:

1."Analizatory sygnałów" zdolne do analizowania częstotliwości przekraczających 31,8 GHz, lecz nie przekraczających 37,5 GHz i posiadające szerokość pasma rozdzielczości 3 dB przekraczających 10 MHz;

2."Analizatory sygnałów" zdolne analizować częstotliwości przekraczające 43,5 GHz;

3."Analizatory sygnałów dynamicznych" posiadające "szerokość pasma czasu rzeczywistego"powyżej 500 kHz.

Uwaga: Pozycja 3A002.c.3 nie obejmuje kontrolą "analizatorów sygnałów dynamicznych", w których zastosowano jedynie filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe albo ułamkowo-oktawowe).

d. Generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości, wytwarzające częstotliwości wyjściowe, których dokładność oraz stabilność krótko- i długo- terminowa, podlega regulacji, powstające lub wymuszane przez wewnętrzną częstotliwość podstawową, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

1. Maksymalna zsyntetyzowana częstotliwość przekraczająca 31,8 GHz, lecz nie przekraczająca 43,5 GHz oraz przystosowana do generowania impulsów o czasie trwania mniejszym niż 100 ns;

2. Maksymalna zsyntetyzowana częstotliwość przekraczająca 43,5 GHz;

3."Czas przełączania częstotliwości" z jednej wybranej wartości na drugą mniejszy niż 1 ms; lub

4. Zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) lepsze niż – (126 + 20 log10F – 20 log10f), w dBc/Hz, gdzie F oznacza uchyb od częstotliwości roboczej w Hz, a f jest częstotliwością roboczą w MHz;



Uwaga techniczna:

Dla celów pozycji 3A002.d.1, 'czas trwania impulsu' jest zdefiniowany jako odcinek czasu pomiędzy osiągnięciem, przez zbocze narastające impulsu 90 % wartości szczytowej, a osiągnięciem, przez zbocze opadające impulsu 10 % wartości szczytowej.

Uwaga: Pozycja 3A002.d nie obejmuje kontrolą sprzętu, w którym częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie albo odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów kwarcowych, bądź poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku.

e. Analizatory sieci o maksymalnej częstotliwości roboczej przewyższającej 43,5 GHz;

f. Kontrolne odbiorniki mikrofalowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Maksymalną częstotliwość roboczą przewyższającą 43,5 GHz; oraz

2. Posiadające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;

g. Atomowe wzorce częstotliwości posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

1. Stabilność długookresowa (starzenie) mniejsza (lepsza) niż 1 x 10– 11/miesiąc; lub

2. Posiadanie "klasy kosmicznej";



Uwaga: Pozycja 3A002.g.1 nie obejmuje kontrolą rubidowych wzorców częstotliwości, nie będących "klasy kosmicznej".

3A003Systemy zarządzania termicznym chłodzeniem natryskowym, wykorzystującym sprzęt do obsługi i przywracania stanu z zamkniętym obiegiem cieczy, umieszczone w uszczelnionych obudowach, w których płyn dielektryczny, przy użyciu specjalnie zaprojektowanych dysz, jest rozpylany na elementy elektroniczne, w celu utrzymania ich w dopuszczalnym przedziale temperatur pracy, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty.

3A101Sprzęt, przyrządy i elementy elektroniczne, różne od wyszczególnionych w pozycji 3A001, takie jak:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe, wykorzystywane w "pociskach rakietowych", spełniające wymagania wojskowe dla urządzeń odpornych na wstrząsy.

b. Akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego, wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2 MeV lub większej, oraz systemy zawierające takie akceleratory.

Uwaga: Pozycja 3A101.b nie określa sprzętu specjalnie zaprojektowanego do zastosowań medycznych.

3A201Podzespoły elektroniczne, różne od wyszczególnionych w pozycji 3A001, takie jak:

a. Kondensatory posiadające jeden z następujących zestawów cech:

1.

a. Napięcie znamionowe większe niż 1,4 kV;



b. Zgromadzona energia większa niż 10 J;

c. Reaktancja pojemnościowa większa niż 0,5 F; oraz

d. Indukcyjność szeregowa mniejsza niż 50 nH; lub

2.

a. Napięcie znamionowe większe niż 750 V;



b. Reaktancja pojemnościowa większa niż 0,25 F; oraz

c. Indukcyjność szeregowa mniejsza niż 10 nH;

b. Nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu większym niż 2 T;

2. O stosunku długości do średnicy wewnętrznej większym niż 2;

3. O średnicy wewnętrznej większej niż 300 mm; oraz

4. Wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1 % w zakresie środkowych 50 % objętości wewnętrznej.

Uwaga: Pozycja 3A201.b nie obejmuje kontrolą magnesów specjalnie zaprojektowanych i eksportowanych 'jako części' medycznych systemów do obrazowania metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie 'jako części' niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej partii wysyłanego wyrobu; dopuszcza się możliwość oddzielnych wysyłek z różnych źródeł, pod warunkiem, że w towarzyszącej im dokumentacji eksportowej wyraźnie określa się, że wysyłane wyroby są dostarczane 'jako część' systemu obrazowania.

c. Generatory błyskowe promieniowania rentgenowskiego lub impulsowe akceleratory elektronów posiadajace jeden z następujących zestawów cech:

1.

a. Energia szczytowa akceleratora elektronów równa 500 keV lub większa, ale mniejsza niż 25 MeV; oraz



b."Współczynnik dobroci" (K) równy 0,25 lub większy; lub

2.

a. Energia szczytowa akceleratora elektronów równa 25 MeV lub większa; oraz



b."Moc szczytowa" powyżej 50 MW.

Uwaga: Pozycja 3A201.c nie obejmuje kontrolą akceleratorów stanowiących elementy składowe urządzeń zaprojektowanych do innych celów, niż wytwarzania wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (np. mikroskopy elektronowe) oraz urządzeń zaprojektowanych do zastosowań medycznych.

Uwagi techniczne:

1."Współczynnik dobroci" K jest zdefiniowany jako:

(K = 1,7 ñ103V2,65Q,)



gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów,

Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora wynosi mniej niż, lub jest równy 1 μs, to Q jest całkowitym ładunkiem przyspieszanym, wyrażonym w Kulombach. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest większy niż 1 μs, to Q jest maksymalnym ładunkiem przyspieszanym w 1 μs.

Q równa się całce z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości: 1 μs lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = idt), gdzie i jest natężeniem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach;

2."Moc szczytowa" = (napięcie szczytowe w woltach) x (szczytowy prąd wiązki w amperach).

3.W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu wiązek wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.

4.W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią prądu podczas trwania pakietu wiązek.

3A225Przemienniki częstotliwości lub generatory, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.b.13, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Wyjście wielofazowe umożliwiające uzyskanie mocy równej 40 W lub większej;

b. Zdolność do pracy w zakresie częstotliwości pomiędzy 600 a 2000 Hz;

c. Całkowite zniekształcenia harmoniczne lepsze (mniej) niż 10 %; oraz

d. Dokładność regulacji częstotliwości lepsza (mniejsza) niż 0,1 %.



Uwaga techniczna:

Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225, nazywane są również konwerterami lub inwerterami.

3A226Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.j.6, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Zdolność do ciągłego wytwarzania, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, napięcia 100 V lub większego z wyjściem prądowym 500 A lub większym; oraz

b. Stabilności prądu lub napięcia, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niż 0,1 %.

3A227Wysokonapięciowe zasilacze prądu stałego, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.j.5, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Zdolność do ciągłego wytwarzania, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, napięcia 20 kV lub większego z wyjściem prądowym 1 A lub większym; oraz

b. Stabilności prądu lub napięcia, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niż 0,1 %.

3A228Urządzenia przełączające, takie jak:

a. Lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez względu na to, czy są napełnione gazem, czy też nie, pracujące podobnie do iskiernika i posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Składające się z trzech lub więcej elektrod;

2. Szczytowa wartość napięcia anody równa 2500 V lub więcej;

3. Szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 100 A lub więcej; oraz

4. Czas zwłoki dla anody równy 10 μs lub mniej.

Uwaga: Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe.

b. Iskierniki wyzwalane, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Czas zwłoki dla anody równy 15 μs lub mniej; oraz

2. Przystosowane do prądów o natężeniach szczytowych równych 500 A lub większych.

c. Moduły lub zespoły do szybkiego przełączania funkcji posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Szczytowa wartość napięcia anody równa 2 kV lub więcej;

2. Szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 500 A lub więcej; oraz

3. Czas włączania równy l μs lub krótszy.

3A229Instalacje zapłonowe i równoważne generatory impulsów wysokoprądowych, takie jak:

NB.: SPRAWDŹ TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

a. Zestawy zapłonowe do detonatorów, zaprojektowane do objętych kontrolą detonatorów typu wielokrotnego, wyszczególnionych w pozycji 3A232:

b. Modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zaprojektowane do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy;

2. Umieszczone w obudowie pyłoszczelnej;

3. Zdolne do dostarczenia swojej energii w przeciągu do 15 μs;

4. Posiadające wyjście prądowe powyżej 100 A;

5. Posiadające "czas narastania" poniżej 10 μs przy obciążeniu poniżej 40 Ω;

6. Żaden z wymiarów nie przekracza 254 mm;

7. Masa mniejsza niż 25 kg; oraz

8. Przeznaczone do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) lub nadające się do stosowania w przestrzeni kosmicznej.

Uwaga: Pozycja 3A229.b. obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp błyskowych.

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A229.b.5. "czas narastania" jest zdefiniowany jako przedział czasowy w zakresie od 10 do 90 % amplitudy natężenia prądu w przypadku zasilania obciążenia rezystancyjnego.

3A230Szybkie generatory impulsowe posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Napięcie wyjściowe większe niż 6 woltów, przy obciążeniu rezystancyjnym mniejszym niż 55 Ω, oraz

b."Czas narastania impulsów" mniejszy niż 500 ps.



Uwaga techniczna:

W pozycji 3A230 "czas narastania impulsów" definiuje się jako przedział czasowy pomiędzy 10 % a 90 % amplitudy napięcia.

3A231Systemy generowania neutronów, w tym lampy, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

a. Przeznaczone do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych; oraz

b. Wykorzystujące przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej trytu z deuterem.

3A232Detonatory i wielopunktowe systemy inicjujące, w tym:

NB.: Sprawdź także Wykaz uzbrojenia.

a. Zapłonniki elektryczne, takie jak:

1. Eksplodujące zapłonniki mostkowe (EB);

2. Eksplodujące zapłonniki połączeń mostkowych (EBW)

3. Zapłonniki udarowe;

4. Eksplodujące zapłonniki foliowe (EFI);

b. Instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi, przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów, na obszarze większym niż 5000 mm2 , za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego, o opóźnieniu synchronizacji na całej powierzchni mniejszym niż 2,5 μs.

Uwaga: Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrolą zapłonników, wykorzystujących wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, takie jak azydek ołowiawy.

Uwaga techniczna:

W pozycji 3A232 wszystkie przedmiotowe detonatory wykorzystują małe przewodniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokoprądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych, wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną w zetknięciu się z materiałem burzącym, takim jak PETN (czteroazotan pentaerytrytu). W zapłonnikach udarowych, wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok bijnika przez szczelinę, którego uderzenie w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach bijnik napędzany jest siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej, może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych. Zamiast słowa detonator używa się także czasami słowa inicjator.

3A233Spektrometry masowe, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B002.g., zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 mas atomowych lub większej oraz posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 części na 230, oraz źródła jonów do tych urządzeń, w tym:

a. Plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);

b. Jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);

c. Termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);

d. Spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami, posiadające komorę ze źródłem elektronów wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;

e. Następujące spektrometry masowe z wiązką molekularną:

1. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną ze stali nierdzewnej lub molibdenu albo wykładaną, lub powlekaną takimi materiałami, wyposażone w wymrażarkę umożliwiającą chłodzenie do 193 K (– 80 °C) lub niżej; lub

2. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;

f. Spektrometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji zaprojektowane do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.



3BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

3B001Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, w tym:

a. Sprzęt zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej, taki jak:

1. Sprzęt zdolny do wytwarzania powłok o równomiernej grubości z materiałów różnych od krzemu, wykonanych z dokładnością poniżej ± 2,5 % na odcinku o długości 75 mm lub większym;

2. Reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania kryształów półprzewodników ze związków dzięki reakcji chemicznej pomiędzy materiałami wyszczególnionymi w pozycji 3C003 lub 3C004;

3. Sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub stałego.

b. Sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

1. Energię wiązki (napięcie przyspieszające) powyżej 1 MeV;

2. Specjalne zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki (napięciem przyspieszającym) mniejszą niż 2 keV;

3. Zdolność bezpośredniego zapisu; lub

4. Posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".

c. Sprzęt do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej, taki jak:

1. Sprzęt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

a. Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 180 nm lub mniejszym, z dokładnością 3 sigma ± 5 %; lub

b. Zaprojektowany do wytwarzania mniej niż 0,04 cząsteczek/cm2 z mierzalną wielkością cząsteczki większą niż 0,1 μm w średnicy;

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany lub sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B001.e., posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

a. Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 180 nm lub mniejszym, z dokładnością 3 sigma ± 5 %; lub

b. Zaprojektowany do wytwarzania mniej niż 0,04 cząsteczek/cm2 z mierzalną wielkością cząsteczki większą niż 0,1 μm w średnicy.

d. Sprzęt do intensyfikowanego za pomocą plazmy osadzania z par lotnych (CVD), taki jak:

1. Sprzęt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, zaprojektowany stosownie do wymagań producenta lub optymalizowany do użytku w produkcji urządzeń półprzewodnikowych o wymiarach krytycznych równych 180 nm, lub mniejszych;

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany do sprzętu objętego kontrolą przez pozycje 3B001.e., oraz stosownie do wymagań producenta lub optymalizowany do użytku w produkcji urządzeń półprzewodnikowych o wymiarach krytycznych równych 180 nm, lub mniejszych.

e. Automatycznie ładujące się, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania płytek elektronicznych, posiadający wszystkie z niżej wymienionych cech:

1. Interfejsy wejściowe i wyjściowe do płytek, umożliwiające podłączenie więcej niż dwóch części półprzewodnikowego sprzętu przetwarzającego; oraz

2. Zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, działającego w warunkach próżni, do sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania.



Uwaga: Pozycja 3B001.e nie obejmuje kontrolą automatycznych, zrobotyzowanych systemów wytwarzania płytek elektronicznych, nie zaprojektowanych do działania w warunkach próżni.

f. Sprzęt litograficzny, taki jak:

1. Sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

a. Źródło światła o długości fali krótszej niż 245 nm; lub

b. Zdolne do wytwarzania wzorów o "minimalnej rozdzielczości wymiarowej" 180 nm lub mniejszej.

Uwaga techniczna:

Rozmiar "minimalnej rozdzielczości wymiarowej" obliczany jest według poniższego wzoru:

MRF = ((długość fali źródła światła napromieniowującego wnm) × (współczynnik K))(apertura liczbowa)

gdzie: współczynnik K = 0,45

MRF = minimalna rozdzielczość wymiarowa.

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek lub przyrządów półprzewodnikowych za pomocą odchylanej, zogniskowanej wiązki elektronów, jonów lub "laserowej", posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

a. Aperturę plamki poniżej 0,2 μm;

b. Zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 μm; lub

c. Dokładność nakładania warstw lepszą niż ± 0,20 μm (3 sigma).

g. Maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;

h. Maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym.

Uwaga: Pozycja 3B001.h nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazy, zaprojektowanych do wytworzenia urządzeń pamięciowych, nie objętych kontrolą przez pozycję 3A001.

3B002Sprzęt testujący, specjalnie przeznaczony do testowania wykończonych i niewykończonych elementów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, z tego:

a. Do testowania S – parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

b. Nie używany.

c. Do testowania mikrofalowych układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.b.2.

3CMateriały

3C001Materiały heteroepitaksjalne składające się z "podłoża" i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z jednego z niżej wymienionych materiałów:

a. Krzemu;

b. Germanu;

c. Węglika krzemu; lub

d. Związków III/V galu lub indu.



Uwaga techniczna:

Związki III/V są substancjami polikrystalicznymi, binarnymi lub złożonymi substancjami monokrystalicznymi składającymi się z pierwiastków grupy IIIA i VA okresowego układu Mendelejewa (np. arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu).

3C002Materiały fotorezystywne, "podłoża" powlekane, objętymi kontrolą, materiałami ochronnymi, z tego:

a. Materiały fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 350 nm;

b. Wszystkie materiały fotorezystywne, zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej;

c. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku promieni rentgenowskimi, posiadające czułość 2,5 mJ/mm2 lub lepszą;

d. Wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych, włącznie z fotorezystami "siliatowanymi".



Uwaga techniczna:

Techniki "siliatowania" są zdefiniowane jako procesy zawierające utlenianie powierzchni materiałów fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrów zarówno podczas wywoływania na sucho, jak i na mokro.

3C003Związki organiczno-nieorganiczne, takie jak:

a. Materiały metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999 %;

b. Związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie związku nieorganicznego) lepszej niż 99,999 %.



Uwaga: Pozycja 3C003 obejmuje kontrolą wyłącznie związki, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły.

3C004Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze.



Uwaga: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20 %, lub więcej, gazów obojętnych lub wodoru.

3DOprogramowanie

3D001"Oprogramowanie" specjalnie zaprojektowane do "rozwoju" lub "produkcji" sprzętu objętego kontrolą, wyszczególnionego w pozycji 3A001.b do 3A002.g, lub 3B.

3D002"Oprogramowanie" specjalnie zaprojektowane do "użytkowania" dowolnych obiektów z niżej wymienionych:

a. Sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B001.a do .f; lub

b. Sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B002.

3D003"Oprogramowanie" symulacyjne, bazujące na fizyce, specjalnie zaprojektowane do "rozwoju" litografii, wytrawiania lub procesów osadzania w celu przekształcenia maskujących kształtów w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych.



Uwaga techniczna:

'Bazujące na fizyce' w 3D003 oznacza wykorzystanie obliczeń do określenia sekwencji przyczyn fizycznych oraz skutków zdarzeń, opierających się na właściwościach fizycznych (np. temperatura, ciśnienie, stałe dyfuzji oraz właściwości materiałów półprzewodnikowych).

Uwaga: Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych są postrzegane jako "technologia".

3D004"Oprogramowanie" specjalnie zaprojektowane do "rozwoju" sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A003.

3D101"Oprogramowanie" specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do "użytkowania" sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A101.b.

3ETechnologia

3E001"Technologia" stosownie do uwagi ogólnej do technologii do "rozwoju" lub "produkcji" sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 3A, 3B lub 3C;



Uwaga 1: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą "technologii" do "produkcji" sprzętu lub komponentów objętych kontrolą przez pozycję 3A003.

Uwaga 2: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą "technologii" do "rozwoju" lub "produkcji" układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.12, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy:

1.Wykorzystujące technologię 0,5 μm lub więcej, oraz

2.Nie posiadające "struktury wielowarstwowej".

Uwaga techniczna:

Pojęcie "struktura wielowarstwowa" nie obejmuje urządzeń posiadających maksymalnie trzy warstwy metaliczne i trzy warstwy polikrzemowe.

3E002"Technologia" stosownie do uwagi ogólnej do technologii, inna niż wyszczególnione w pozycji 3E001, do "rozwoju" lub "produkcji""układów mikroprocesorowych", "układów mikrokomputerowych" oraz układów mikrosterowników posiadających "kombinowaną teoretyczną moc obliczeniową" ("CTP") równą 530 milionów teoretycznych operacji na sekundę (Mtops) lub więcej, oraz jednostki arytmetyczno-logiczne z szyną dostępu 32 bity lub więcej.



Uwaga: Uwaga 2 do pozycji 3E001 stosuje się także do pozycji 3E002.

3E003Inna "technologia"do "rozwoju" lub "produkcji" tego, co następuje:

a. Próżniowych urządzeń mikroelektronicznych;

b. Heterostrukturalnych urządzeń półprzewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urządzenia nadstrukturalne oraz ze studnią kwantową;



Uwaga: Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.

c. Urządzeń elektronicznych opartych na "nadprzewodnikach";

d. Podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych;

e. Podłoży do układów scalonych, typu "krzem na izolatorze" (SOI), gdzie izolatorem jest dwutlenek krzemu;

f. Podłoży z węglika krzemu dla komponentów elektronicznych;

g. Elektronicznych lamp próżniowych, pracujących na częstotliwościach równych 31,8 GHz, lub wyższych.

3E101"Technologia" stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do "użytkowania" sprzętu lub "oprogramowania" wyszczególnionego w pozycji 3A001.a.1 lub 3A001.a.2, 3A101 albo 3D101.

3E102"Technologia" stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do "rozwoju""oprogramowania" wyszczególnionego w pozycji 3D101;

3E201"Technologia" stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do "użytkowania" sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A0001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.e.5, 3A201, 3A225 do 3A233.

1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   18


©absta.pl 2016
wyślij wiadomość

    Strona główna