Rozporządzenie rady (WE) nr 149/2003 z dnia 27 stycznia 2003 r zmieniające I aktualizujące rozporządzenie (WE) nr 1334/2000 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu produktów I technologii podwójnego zastosowania


C Materiały Brak. 2D Oprogramowanie



Pobieranie 1.75 Mb.
Strona6/15
Data29.04.2016
Rozmiar1.75 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15

2C Materiały

Brak.


2D Oprogramowanie

2D001 „Oprogramowanie”, inne niż określone w pozycji 2D002, specjalnie opracowane lub zmodyfikowane do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” urządzeń określonych w pozycjach 2A001 lub 2B001-2B009.


2D002 „Oprogramowanie” do urządzeń elektronicznych, nawet pozostające w elementach elektronicznych urządzenia lub systemu, pozwalające im działać jako jednostki „sterowania numerycznego”, umożliwiające jednoczesną koordynację więcej niż czterech osi w celu „sterowania kształtowego”.
Uwaga: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontroli „oprogramowania” specjalnie opracowanego lub modyfikowanego do obsługi obrabiarek nie objętych kontrolą w kategorii 2.
2D101 „Oprogramowanie” specjalnie opracowane lub zmodyfikowane do „użytkowania” urządzeń określonych w pozycjach 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 lub 2B119 - 2B122.
UWAGA: PATRZ TAKŻE POZYCJA 9D004.
2D201 „Oprogramowanie” specjalnie przeznaczone do „użytkowania” urządzeń określonych w pozycjach 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 lub 2B227.
2D202 „Oprogramowanie” specjalnie opracowane lub zmodyfikowane do „rozwoju”, „produkcji” lub „użytkowania” urządzeń określonych w pozycji 2B201.

2E Technologia

2E001 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczona do „rozwoju” urządzeń lub „oprogramowania” określonych w pozycjach 2A, 2B lub 2D.


2E002 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczona do „produkcji” urządzeń określonych w pozycjach 2A lub 2B.
2E003 Następujące inne „technologie”:
a. „Technologia” umożliwiająca „rozwój” grafiki interakcyjnej, stanowiącej integralną część urządzeń „sterowanych numerycznie”, przeznaczona do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części;
b. Następujące produkcyjne „technologie” obróbki metali:
1. „Technologia” projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie opracowana do jakiegokolwiek z następujących procesów:
a. „Obróbki w stanie nadplastycznym”;
b. „Zgrzewania dyfuzyjnego”; lub
c. „Bezpośredniego tłoczenia hydraulicznego”;
2. Dane techniczne, obejmujące metody lub parametry procesu, stosowane do sterowania przebiegiem następujących procesów:
a. „Obróbka w stanie nadplastycznym” stopów aluminium, stopów tytanu lub „nadstopów”:
1. Przygotowanie powierzchni;
2. Właściwości plastyczne;
3. Temperatura;
4. Ciśnienie;
b. „Zgrzewanie dyfuzyjne” „nadstopów” lub stopów tytanu:
1. Przygotowanie powierzchni;
2. Temperatura;
3. Ciśnienie;
c. „Bezpośrednie tłoczenie hydrauliczne” stopów aluminium i stopów tytanu:
1. Ciśnienie;
2. Czas cyklu;
d. „Izostatyczne prasowanie na gorąco” stopów tytanu, stopów aluminium lub „nadstopów”:
1. Temperatura;
2. Ciśnienie;
3. Czas cyklu;
c. „Technologia” do „rozwoju” lub „produkcji” obciągarek hydraulicznych i form do nich, do wytwarzania struktur płatowca;
d. „Technologie” „rozwoju” generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych pozostających w urządzeniach „sterowanych numerycznie”;
e. „Technologie” „rozwoju” „oprogramowania” zintegrowanego do wprowadzania systemów eksperckich, przeznaczonych do wspomagania procesu decyzyjnego podczas operacji warsztatowych, do urządzeń „sterowanych numerycznie”;
f. „Technologie” do nakładania powłok nieorganicznych lub powłok nieorganicznych modyfikowanych powierzchniowo (określonych w kolumnie 3 poniższej tabeli) na podłoża nieelektroniczne (określone w kolumnie 2 poniższej tabeli) za pomocą procesów określonych w kolumnie 1 poniższej tabeli i określonych w uwadze technicznej.
Uwaga: Tabela i uwaga techniczna znajdują się za pozycją 2E301.
2E101 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczona do „użytkowania” urządzeń lub „oprogramowania” określonych w pozycjach 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116-2D101.
2E201 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczona do „użytkowania” urządzeń lub „oprogramowania” określonych w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-2B232, 2D201 lub 2D202.
2E301 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczona do „użytkowania” towarów określonych w pozycjach 2B350-2B352.

Tabela
Techniki osadzania


1. Technika osadzania (1)*

2. Podłoże

3. Powłoka wynikowa

A. Osadzanie z pary lotnej (CVD)

„Nadstopy”

Glinki na kanały wewnętrzne

Materiały ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Węgliki


Warstwy dielektryczne (15)

Diament


Węgiel diamentopodobny (17)

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki


Metale ognioodporne

Mieszanki powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Glinki


Glinki stopowe (2)

Azotek boru



Spiekane węgliki wolframu (16)

Węglik krzemu (18)



Węgliki

Wolfram


Mieszanki powyższych (4)

Warstwy dielektryczne (15)



Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

Diament


Węgiel diamentopodobny (17)

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Diament


Węgiel diamentopodobny (17)

B. Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD)







B.1. Naparowywanie próżniowe (PVD): Wiązką elektronów (EB-PVD)

„Nadstopy”

Krzemki stopowe

Glinki stopowe (2)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Krzemki

Glinki


Ich mieszaniny (4)




Materiały ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Warstwy dielektryczne (15)

Stale odporne na korozję (7)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Ich mieszanki (4)


„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki


Metale ognioodporne

Ich mieszanki (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru



Spiekane węgliki wolframu (16)

Węglik krzemu (18)



Węgliki

Wolfram


Ich mieszanki (4)

Warstwy dielektryczne (15)



Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

Borki


Beryl

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki


B.2. Napylanie techniką ogrzewania oporowego wspomaganego jonowo (PVD) (Napylanie jonowe).

Materiały ceramiczne (19) i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)






„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Warstwy dielektryczne (15)




Spiekane węgliki wolframu (16)

Węglik krzemu



Warstwy dielektryczne (15)




Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)




Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)




Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)



B.3. Napylanie próżniowe(PVD): odparowywanie „laserowe”

Materiały ceramiczne (19) i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)


„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Warstwy dielektryczne (15)

Spiekane węgliki wolframu (16)

Węglik krzemu



Warstwy dielektryczne (15)

Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)

Beryl i stopy berylu

Warstwy dielektryczne (15)

Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny



B.4. Naparowywanie próżniowe (PVD): za pomocą łuku katodowego

„Nadstopy”

Krzemki stopowe

Glinki stopowe (2)

MCrAlX (5)


„Materiały kompozytowe” na „matrycy” polimerowej (11) i organicznej

Borki

Węgliki


Azotki

Węgiel diamentopodobny (17)



C. Osadzanie fluidyzacyjne (patrz A powyżej dla innych technik) (10)

„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki


Ich mieszanki (4)




Stopy tytanu (13)

Krzemki

Glinki


Glinki stopowe (2)

Metale i stopy ognioodporne (8)

Krzemki

Tlenki


D. Napylanie plazmowe

„Nadstopy”

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

ich mieszanki (4)

Materiał ścierny nikiel - grafit

Materiał ścierny zawierający Ni-Cr-Al

Materiał ścierny zawierający Al-Si-Poliester

Glinki stopowe (2)





Stopy aluminium (6)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Krzemki

Ich mieszanki (4)






Metale i stopy ognioodporne (8)

Glinki

Krzemki


Węgliki




Stale odporne na korozję (7)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

ich mieszanki (4)





Stopy tytanu (13)

Węgliki

Glinki


Krzemki

Glinki stopowe (2)

Materiał ścierny nikiel - grafit

Materiały ścierne zawierające Ni-Cr-Al

Materiał ścierny zawierający Al-Si-Poliester


E. Osadzanie zawiesinowe

Metale i stopy ognioodporne (8)

Krzemki stopione

Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego






„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki


Ich mieszanki (4)

F. Rozpylanie jonowe

„Nadstopy”

Krzemki stopowe

Glinki stopowe (2)

Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym (3)

MCrAlX (5)

Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12)

Platyna


Ich mieszanki (4)




Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14)

Krzemki

Platyna


Ich mieszanki (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)





Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki


Tlenki

Krzemki


Glinki

Glinki stopowe (2)

Węgliki





„Materiały kompozytowe” na „matrycy” węgiel - węgiel, ceramicznej i metalowej

Krzemki

Węgliki


Metale ognioodporne

Ich mieszanki (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru






Spiekane węgliki wolframu (16)

Węglik krzemu (18)



Węgliki

Wolfram


Ich mieszanki (4)

Warstwy dielektryczne (15)

Azotek boru





Molibden i stopy molibdenu

Warstwy dielektryczne (15)




Beryl i stopy berylu

Borki

Warstwy dielektryczne (15)

Beryl


Materiały na okienka wziernikowe (9)

Warstwy dielektryczne (15)

Węgiel diamentopodobny (17)



Metale i stopy ognioodporne (8)

Glinki

Krzemki


Tlenki

Węgliki


G. Implantacja jonów

Ognioodporne stale łożyskowe

Dodatki chromu, tantalu lub niobu

Stopy tytanu (13)

Borki

Azotki


Beryl i stopy berylu

Borki

Spiekany węglik wolframu (16)

Węgliki

Azotki




Uwagi
1. Termin ‘technika osadzania’ obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok, jak i nakładanie nowych.
2. Termin ‘powłoka z glinku stopowego’ obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- lub wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek lub pierwiastki są nakładane przed lub podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Jednakże nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.
3. Termin ‘powłoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym’ obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden lub kilka metali szlachetnych.
4. Termin ‘ich mieszanki’ obejmuje kombinacje, które składają się z przesyconego materiałem powłoki podłoża, składników pośrednich, materiału współosadzonego oraz wielowarstwowego materiału osadzonego i są wytwarzane jedną lub kilku technikami powlekania, określonymi w tabeli.
5. ‘MCrAIX’ odnosi się do powłoki stopowej, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinacje, a X hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych ilościach dodatkowych, wynoszących powyżej 0,01 procenta w masie w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem:
a. Powłok CoCrAIY, w których znajduje się poniżej 22 procent w masie chromu, poniżej 7 procent aluminium i poniżej 2 procent itru;
b. Powłok CoCrAIY, w których znajduje się 22-24 procent w masie chromu, 10-12 procent aluminium i 0,5-0,7 procent itru; lub
c. Powłok NiCrAIY, w których znajduje się 21-23 procent w masie chromu, 10-12 procent aluminium i 0,9-1,1 procent itru.
6. Termin ‘stopy aluminium’ dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej.
7. Termin ‘stale odporne na korozję’ odnosi się do stali serii 300 według AISI (Amerykański Instytut Żelaza i Stali) lub równoważnych norm krajowych.
8. Do metali ognioodpornych zaliczają się następujące metale i ich stopy: niob (columbium), molibden, wolfram i tantal.
9. Następujące ‘materiały na okienka wziernikowe’: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu, szafir i następujące halogenki metali: materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu.
10. ‘Technologia’ jednoetapowego utwardzania techniką cieplno - chemiczną litych profili aerodynamicznych nie jest objęta kontrolą przez kategorię 2.
11. Następujące polimery: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.
12. ‘Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy’ odnosi się do dodatków innych tlenków metali, (np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków lantanowców, itp.) do tlenku cyrkonowego w celu stabilizacji niektórych faz krystalicznych i składników faz. Kontrola nie dotyczy powłok antytermicznych wykonanych z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie lub stapianie z tlenkiem wapnia lub magnezu.
13. ‘Stopy tytanu’ odnosi się wyłącznie do stopów stosowanych w technice kosmicznej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej.
14. ‘Szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej’ odnosi się do szkieł, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 1 × 10-7 K-1 lub mniej.
15. ‘Warstwy dielektryczne’ to powłoki wielowarstwowe z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Jako warstwy dielektryczne należy rozumieć materiały składające się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub „materiałów kompozytowych” z materiałów dielektrycznych i metali.
16. ‘Spiekany węglik wolframu’ nie obejmuje materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu / (kobalt, nikiel), węglika tytanu / (kobalt, nikiel), węglika chromu / nikiel - chrom i węglika chromu / nikiel.
17. Nie podlega kontroli ‘technologia’ specjalnie opracowana do nakładania węgla diamentopodobnego na następujących towarach:
dyski i głowice magnetyczne, urządzenia do wytwarzania produktów jednorazowych, zawory do kranów, membrany do głośników, części silników samochodowych, narzędzia tnące, matryce do tłoczenia - wykrawania, sprzęt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony, urządzenia medyczne.
18. ‘Węglik krzemu’ nie obejmuje materiałów dla narzędzi do cięcia i formowania.
19. Materiały ceramiczne, w ramach tej pozycji nie obejmują materiałów ceramicznych zawierających w masie 5% lub więcej gliny lub cementu, zarówno w postaci oddzielnych składników jak i ich kombinacji.
Definicje procesów określonych w kolumnie 1 tabeli:
a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki lub modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, „materiału kompozytowego”, dielektryka lub materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład lub łączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop lub związek. Potrzebna do rozkładu związków lub do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę z wyładowań jarzeniowych, lub za pomocą „lasera”.
Uwaga 1 CVD obejmuje następujące procesy: Osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane lub wspomagane za pomocą plazmy.
Uwaga 2 Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji.
Uwaga 3 Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego; z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.
b. Naparowywanie termiczne - fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w którym do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja lub osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.
Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazów do komory próżniowej podczas powlekania, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie.
Innym, powszechnie stosowanym sposobem modyfikacji tej techniki jest używanie wiązki jonów lub elektronów lub plazmy do intensyfikacji lub wspomagania osadzania powłoki. W procesie tym można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki.
Wyróżnia się następujące procesy TE-PVD:
1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów stosuje się do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;


  1. PVD z ogrzewaniem oporowym wspomaganym jonowo stosuje się do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzającą wiązką (wiązkami) jonów;

3. Odparowanie „laserowe” stosuje się do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę używana jest ciągła lub impulsowa wiązka „laserowa”;


4. Metoda osadzania za pomocą łuku katodowego wykorzystuje zużywalną katodę wykonaną z materiału stanowiącego powłokę; łuk wywoływany jest na powierzchni tego materiału poprzez chwilowy kontakt inicjujący. Kontrolowany ruch łuku powoduje erozję powierzchni katody wytwarzając wysoko zjonizowaną plazmę. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody lub sama komora. Osadzanie w miejscach nie leżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża.
Uwaga: Definicja ta nie obejmuje przypadkowego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.
5. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE-PVD, w którym do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy lub jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwyt z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych modyfikacji tego procesu należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.
c. Osadzanie fluidyzacyjne jest techniką powlekania lub modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z:
1. Proszków metalicznych, które mają być osadzone (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);
2. Aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz
3. Proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.
Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1 030 K (757 °C) do 1 375 K (1 102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.
d. Napylanie plazmowe jest techniką powlekania, w której do pistoletu służącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku lub pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tej techniki są napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością.
Uwaga 1 Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia.
Uwaga 2 Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.
e. Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania lub modyfikacji powierzchni, w którym stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania, następnym etapem jest suszenie w powietrzu lub w piecu i obróbka termiczna, w wyniku czego powstaje pożądana powłoka.
f. Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w którym naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.
Uwaga 1 Tabela dotyczy tylko rozpylania magnetronowego, reakcyjnego lub jonowego za pomocą triody, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych.
Uwaga 2 Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).
g. Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Proces ten może być stosowany równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów lub rozpylaniem jonowym.

: enlargement -> ccvista
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 1607/2003 z dnia 12 września 2003 r zmieniające po raz dwudziesty drugi rozporządzenie Rady (WE) nr 881/2002 wprowadzające niektóre
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 1724/2003 z dnia 29 września 2003 r zmieniające po raz dwudziesty trzeci rozporządzenie Rady (WE) nr 881/2002 wprowadzające niektóre
ccvista -> ProtokóŁ dotyczący współpracy w zwalczaniu zanieczyszczenia Morza Śródziemnego olejami I innymi substancjami szkodliwymi w nagłych przypadkach
ccvista -> Uzgodniony protokóŁ nr 5
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Rozporządzenie rady (WE) nr 1470/2001 z dnia 16 lipca 2001 r nakładające ostateczne cło antydumpingowe I stanowiące o ostatecznym poborze cła tymczasowego nałożonego na przywóz świetlówek kompaktowych ze scaloną elektroniką (cfl)
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 2593/2001 z dnia 28 grudnia 2001 r zmieniające rozporządzenie (WE) nr 909/2001 w odniesieniu do rejestrowania przywozu glifosatu wytwarzanego przez jednego malezyjskiego I jednego tajwańskiego producenta dokonującego
ccvista -> Decyzja komisji


1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15


©absta.pl 2019
wyślij wiadomość

    Strona główna