Rozporządzenie rady (WE) nr 149/2003 z dnia 27 stycznia 2003 r zmieniające I aktualizujące rozporządzenie (WE) nr 1334/2000 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu produktów I technologii podwójnego zastosowania



Pobieranie 1.75 Mb.
Strona7/15
Data29.04.2016
Rozmiar1.75 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   15

KATEGORIA 3
ELEKTRONIKA

3A Systemy, urządzenia i podzespoły
Uwaga 1: Status kontroli urządzeń i podzespołów opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3.-3A001.a.10. lub 3A001.a.12., specjalnie opracowanych lub posiadających te same właściwości funkcjonalne co inne urządzenia, jest określony przez status kontroli innych urządzeń.
Uwaga 2: Status kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3.-3A001.a.9. lub 3A001.a.12., zaprogramowanych na stałe, bez możliwości wprowadzenia zmian lub przeznaczonych lub posiadających te same właściwości funkcjonalne co inne urządzenia, jest określony przez status kontroli innych urządzeń.
Uwaga: W razie, gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić statusu kontroli tych innych urządzeń, status kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3-3A001.a.9. i 3A001.a.12. Jeżeli układ scalony jest krzemowym mikroukładem mikrokomputerowym lub mikrosterownikiem określonym w pozycji 3A001.a.3. o długości słowa operandu (danych) 8 bitów lub mniej, status kontroli układu scalonego określony jest w pozycji 3A001.a.3.
3A001 Następujące podzespoły elektroniczne:
a. Następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia:
Uwaga 1: Status kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję, należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001. a.
Uwaga 2: Do układów scalonych zaliczane są następujące typy:
- „Układy scalone monolityczne”;
- „Układy scalone hybrydowe”;
- „Układy scalone wielopłytkowe”;
- „Układy scalone warstwowe” włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;
- „Układy scalone optyczne”.
1. Układy scalone skonstruowane lub przystosowane w taki sposób, że są odporne na promieniowanie jonizujące i wytrzymują:
a. Dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (krzem) lub wyższą; lub
b. Wzrost dawki o 5 × 106 Gy (krzem)/s lub większy;
c. płynność (scalone nieustanne zmiany) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 lub wyższą na krzemie, lub jego ekwiwalencie dla innych materiałów.
Uwaga: 3A001.a.1.c. nie ma zastosowania do Metalowych Izolatorów Półprzewodnikowych (MIS).
2. „Układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i mikroukłady do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo - cyfrowe i cyfrowo - analogowe, układy elektrooptyczne lub „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów”, sieci bramek programowalne przez użytkownika, tablice logiczne programowalne przez użytkownika, układy scalone na sieciach neuronowych, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub statusie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do szybkiej transformaty Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie - programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), o jednej z następujących właściwości:
a. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C);
b. Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (-55 °C); lub
c. Przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur 218 K (-55 °C) - 398 K (125 °C);
Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje układów scalonych do silników do pojazdów cywilnych ani kolejowych.
3. „Układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i mikroukłady do mikrosterowników posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
Uwaga: Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.
a. niewykorzystane.
b. Są wykonane z półprzewodników złożonych i pracują z częstotliwością zegara powyżej 40 MHz; lub
c. Posiadają więcej niż jedną szynę danych lub rozkazów lub szeregowy port komunikacji zewnętrznej w procesorze równoległym o prędkości transmisji danych powyżej 150 Mbajtów/s;
4. Pamięciowe układy scalone wytwarzane z półprzewodników złożonych;
5. Następujące przetworniki analogowo - cyfrowe i cyfrowo - analogowe na układach scalonych:
a. Przetworniki analogowo - cyfrowe posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
UWAGA: PATRZ TAKŻE POZYCJA 3A101.
1. Rozdzielczość 8 bitów lub więcej, ale poniżej 12 bitów i „całkowity czas przetwarzania” z maksymalną rozdzielczością poniżej 5 ns;
2. Rozdzielczość 12 bitów i „całkowity czas przetwarzania” z maksymalną rozdzielczością poniżej 20 ns;
3. Rozdzielczość powyżej 12 bitów, ale równa lub mniejsza niż 14 bitów i „całkowity czas przetwarzania” z maksymalną rozdzielczością poniżej 200 ns; lub
4. Rozdzielczość powyżej 14 bitów i „całkowity czas przetwarzania” z maksymalną rozdzielczością poniżej 1 μs;
b. Przetworniki cyfrowo - analogowe o rozdzielczości 12 bitów lub większej i „czasie ustalania” poniżej 10 ns;

Uwagi techniczne:
1. Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu w 2n poziomach.
2. „Całkowity czas konwersji” jest odwrotnością szybkości dokonywania próby.
6. Układy scalone elektrooptyczne albo „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów” posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. Posiadające jedną albo więcej wewnętrznych diod „laserowych”;
b. Posiadające jeden albo więcej wewnętrznych elementów reagujących na światło; oraz
c. Wyposażone w światłowody;
7. Sieci układów logicznych programowalne przez użytkownika, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30 000 (2 bramki wejściowe);
b. Typowe „podstawowe opóźnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału” mniejsze niż 0,1 ns; lub
c. Częstotliwość przełączania powyżej 133 MHz;
Uwaga: Pozycja 3A001.a.7. obejmuje:
- Proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD)
- CPLD (Złożone programowalne urządzenia logiczne),
- FPGA (Tablice bramek programowane przez użytkownika),
- FPLA (Tablice logiczne programowane przez użytkownika),
- FPIC (Połączenia wewnętrzne programowane przez użytkownika).
Uwaga: Programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne znane są także jako programowalne przez użytkownika bramki lub jako programowalne przez użytkownika tablice logiczne.
8. Niewykorzystany;
9. Układy scalone na sieciach neuronowych;
10. Robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub statusie kontroli urządzenia, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Ponad 1 000 końcówek;
b. Typowe „podstawowe opóźnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału” mniejsze niż 0,1 ns; lub
c. Częstotliwość robocza powyżej 3 GHz;
11. Cyfrowe układy scalone, inne niż określone w pozycjach 3A001.a.3. - 3A001.a.10. oraz 3A001.a.12., oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych i posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 3 000 (2 bramki wejściowe); lub
b. Częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz;
12. Procesory do szybkiej transformaty Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2 N)/20 480 ms, gdzie N jest liczbą punktów;
Uwaga techniczna:
Gdy N wynosi 1 024 punkty, formuła w pozycji 3A001.a.12 daje czas realizacji 500 ms.
b. Następujące urządzenia mikrofalowe albo pracujące na falach milimetrowych:
1. Następujące elektronowe lampy próżniowe i katodowe:
Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1. nie obejmuje kontrolą lamp skonstruowanych lub przystosowanych do działania w zakresie dowolnych pasm posiadających wszystkie następujące właściwości:
a. nie przekraczają 31 GHz; oraz


  1. są „przydzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.


Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1. nie dotyczy lamp spoza „klasy kosmicznej” które spełniają wszystkie następujące właściwości:


  1. Średnia moc wyjściowa mniejsza lub równa 50 W; oraz




  1. Przeznaczone lub zaliczane do pracy w dowolnym paśmie częstotliwości które spełniają wszystkie następujące właściwości:




  1. Przekraczają 31 GHz ale nie przekraczają 43,5 GHz, oraz




  1. Są przydzielone przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

a. Następujące lampy o fali bieżącej, impulsowe albo o działaniu ciągłym:


1. Pracujące z częstotliwościami powyżej 31 GHz;
2. Zaopatrzone w element podgrzewający katodę, z czasem dojścia do mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;
3. Sprzężone lampy wnękowe, albo ich pochodne o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 7% lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;
4. Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. „Chwilową szerokość pasma” powyżej jednej oktawy i iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;
b. „Chwilową szerokość pasma” poniżej jednej oktawy i iloczyn przeciętnej znamionowej mocy wyjściowej (wyrażonej w kW) i częstotliwości roboczej (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub
c. Właściwości „klasy kosmicznej”;
b. Wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;
c. Impregnowane katody do lamp elektronowych wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2;
2. Mikrofalowe układy scalone albo moduły, posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. Zawierające „monolityczne układy scalone” z co najmniej jednym aktywnym elementem układu; oraz
b. pracujące z częstotliwościami powyżej 3 GHz;
Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontroli układów ani modułów przeznaczonych albo pracujących zakresie dowolnych pasm posiadających wszystkie następujące właściwości:
a. nie przekraczają 31 GHz; oraz
b.przydzielone przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.
Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje kontroli satelitarych urządzeń radiowych przeznaczonych albo pracujących zakresie pasm częstotliwości od 40,5 - 42,5 GHz.
3. Tranzystory mikrofalowe specjalnie skonstruowane do pracy przy częstotliwościach przekraczających 31 GHz;
4. Mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Częstotliwości robocze powyżej 10,5 GHz i „chwilową szerokość pasma” powyżej połowy oktawy; lub
b. Częstotliwości robocze powyżej 31 GHz;
5. Filtry środkowo - przepustowe i środkowo - zaporowe przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające ponad 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmaks/fmin) w ciągu poniżej 10 µs posiadające dowolną następującą właściwość:
a. Szerokość pasma środkowo - przepustowego powyżej 0,5% częstotliwości nośnej; lub
b. Szerokości pasma środkowo - zaporowego poniżej 0,5% częstotliwości nośnej;
6. Zespoły mikrofalowe zdolne do pracy przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;
7. Mieszacze i konwertery przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości urządzeń opisanych w pozycjach 3A002.c., 3A002.e. lub 3A002.f. powyżej podanych tam wartości granicznych;
8. Mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy określone w pozycji 3A001.b., posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. Częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;
b. Średnią wyjściową gęstość mocy większą, niż 80 W/kg; oraz
c. Objętość mniejszą niż 400 cm3;
Uwaga: Pozycja nie obejmuje 3A001.b.8. kontrola urządzeń skonstruowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie dowolnych pasm przydzielonych przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.
c. Następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne i specjalnie do nich skonstruowane podzespoły:
1. Urządzenia wykorzystujące akustyczne fale powierzchniowe oraz akustyczne fale szumów powierzchniowych (płytkie) (tj. urządzenia do „przetwarzania sygnałów” wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), posiadające dowolną następującą właściwość:
a. Częstotliwość nośną przekraczającą 2,5 GHz;
b. Częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale mniejszą, niż 2,5 GHz oraz posiadające jakąkolwiek następujących właściwości:
1. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB;
2. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w µs i szerokość pasma w MHz) powyżej 100;
3. Szerokość pasma większą niż 250 MHz; lub
4. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 µs; lub
c. Częstotliwość nośną 1 GHz lub mniej oraz posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w µs i szerokość pasma w MHz) powyżej 100;
2. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 µs; lub
3. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB i szerokość pasma większą, niż 50 MHz;
2. Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne (tj. urządzenia do „przetwarzania sygnałów” wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 1GHz;
3. Urządzenia do „przetwarzania sygnałów” optyczno - akustycznych wykorzystujące oddziaływania między falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, włącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem;
d. Urządzenia lub układy elektroniczne, w których skład wchodzą elementy wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie przeznaczone do pracy w temperaturach poniżej „temperatur krytycznych” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących”, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek „nadprzewodzących”, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10-14 J; lub
2. Selekcję częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10 000;
e. Następujące urządzenia wysokoenergetyczne:
1. Następujące baterie i zespoły fotowoltaiczne:
Uwaga: Pozycja 3A001.e.1. nie obejmuje kontroli baterii o objętościach równych lub mniejszych niż 27 cm3 (np. standardowe ogniwa C lub baterie R14).
a. Ogniwa i baterie galwaniczne o ‘gęstości energii’ przekraczającej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniżej 243 K (-30 °C) do powyżej 343 K
(70 °C);
b. Ogniwa i baterie doładowywane, o ‘gęstości energii’ przekraczającej 150 Wh/kg po 75 cyklach ładowania / rozładowania przy prądzie rozładowania równym C/5 godzin (C jest pojemnością nominalną w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniżej 253 K (-20 °C) do powyżej 333 K (60 °C);
Uwaga techniczna:
Gęstość energii oblicza się mnożąc średnią moc w watach (średnie napięcie w woltach razy średni prąd w amperach) przez czas rozładowania w godzinach do poziomu napięcia stanowiącego 75% napięcia jałowego i dzieląc przez całkowitą masę ogniwa (lub baterii) w kg.
c. Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi „klasy kosmicznej” lub odporne na promieniowanie jonizujące, o mocy jednostkowej powyżej 160 W/m2 w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) po oświetleniu światłem o natężeniu 1 kW/m2 emitowanym przez włókno wolframowe o temperaturze 2 800 K (2 527 °C);
2. Następujące wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące:
UWAGA: PATRZ TAKŻE POZYCJA 3A201.a.
a. Kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;
2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 250 J/kg; oraz
3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 25 kJ;
b. Kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;
2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 50 J/kg;
3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 100 J; oraz
4. Żywotność mierzoną liczbą cykli ładowanie / rozładowanie równą 10 000 lub wyższą;
3. „Nadprzewodzące” elektromagnesy lub cewki, specjalnie opracowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie poniżej jednej sekundy, posiadające wszystkie następujące właściwości:
UWAGA: PATRZ TAKŻE POZYCJA 3A201.b.
Uwaga: Pozycja 3A001.e.3. nie obejmuje kontroli ani elektromagnesów ani cewek nadprzewodzących specjalnie przeznaczonych do aparatury medycznej, w której do tworzenia obrazów wykorzystywany jest rezonans magnetyczny (MRI).
a. Energia dostarczona podczas wyładowania większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;
b. Średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz
c. Dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadające „całkowitą gęstość prądu” uzwojenia powyżej 300 A/mm2;
f. Urządzenia kodujące bezwzględne położenie wału posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Rozdzielczość lepszą niż 1 część na 265 000 (rozdzielczość 18 bitów) pełnego zakresu; lub
2. Dokładność powyżej ± 2,5 sekundy kątowej.
3A002 Następujące urządzenia elektroniczne ogólnego przeznaczenia:
a. Następujące urządzenia do rejestracji pomiaru i specjalnie do nich skonstruowane taśmy testowe:
1. Analogowe urządzenia rejestrujące na taśmie magnetycznej włącznie z urządzeniami umożliwiającymi zapis sygnałów cyfrowych (np. za pomocą modułu do cyfrowego zapisu magnetycznego z dużą gęstością (HDDR)), posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Szerokość pasma powyżej 4 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę;
b. Szerokość pasma powyżej 2 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę oraz posiadające więcej niż 42 ścieżki; lub
c. Przesunięcie czasowe, mierzone według dostępnej dokumentacji IRIG lub EIA, mniejszy od ± 0,1 µs;
Uwaga: Rejestratory analogowe na taśmie magnetycznej do cywilnych zastosowań techniki video nie są uważane za urządzenia rejestrujące na taśmie.
2. Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 360 Mbitów/s;
Uwaga: Pozycja 3A002.a.2. nie obejmuje kontroli cyfrowych rejestratorów video na taśmie magnetycznej specjalnie przeznaczonych do rejestracji telewizyjnej zgodnie z formatem sygnału znormalizowanym i zalecanym przez ITU, IEC, SMPTE, EBU lub IEEE do stosowania w telewizji cywilnej.
3. Urządzenia do cyfrowego zapisu na taśmie magnetycznej techniką skanowania spiralnego lub za pomocą głowicy stałej, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 175 Mbitów/s; lub
b. Właściwości „klasy kosmicznej”;
Uwaga: Pozycja 3A002.a.3. nie obejmuje kontroli rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej, wyposażonych w przetworniki elektroniczne HDDR, skonstruowanych w taki sposób, że umożliwiają rejestrację wyłącznie danych cyfrowych.
4. Urządzenia posiadające złącza komunikacyjne o szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 175 Mbitów/s, umożliwiające przekształcanie cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych;
5. Przetworniki przebiegów falowych i rejestratory stanów przejściowych posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większą; oraz
b. Przepustowość ciągłą 2 Gbity/s lub większą;
Uwaga techniczna:
W przypadku urządzeń o równoległej architekturze szyn, przepustowość ciągłą określa się jako iloczyn największej prędkości przesyłu słów i liczby bitów w słowie.
Przepustowość ciągła oznacza największą prędkość przesyłu danych przez urządzenie do pamięci masowej bez straty informacji z utrzymaniem prędkości dokonywania i przetwarzania
analogowo - cyfrowego
.
6. Cyfrowe urządzenia do rejestracji danych, wykorzystujące technikę przechowywania za pomocą dysków magnetycznych, posiadające wszystkie następujące właściwości:


  1. szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą 100 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 8 bitów lub większą; oraz




  1. przepustowość ciągłą 1 Gbit/s lub większą;

b. „Elektroniczne zespoły” „syntezatorów częstotliwości” z „czasem przełączania częstotliwości” z jednej wybranej wartości na drugą wynoszącym poniżej 1 ms;


c. Następujące „analizatory sygnałów” częstotliwości radiowej:
1. „Analizatory sygnałów” zdolne do analizowania częstotliwości powyżej 31,8 GHz, ale mniejszej niż 37,5 GHz lub przekraczającej 43,5 GHz;
2. „Analizatory sygnałów dynamicznych” z „pasmem bieżącym o szerokości” powyżej 500 kHz;
Uwaga: Pozycja 3A002.c.2. nie obejmuje kontroli „analizatorów sygnałów dynamicznych”, w których zastosowano tylko filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe lub ułamkowo-oktawowe).
d. Generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości, wytwarzające częstotliwości wyjściowe i których dokładność oraz stabilność krótkoterminowa i długoterminowa są sterowane, wynikają lub są wymuszane przez wewnętrzną częstotliwość podstawową, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Maksymalna częstotliwość zsyntetyzowana powyżej 31,8 GHz;
2. „Czas przełączania częstotliwości” z jednej wybranej wartości na drugą poniżej 1 ms; lub
3. Zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) lepsze niż - (126 + 20log10F -20log10f) w dBc/Hz, gdzie F oznacza odchylenie od częstotliwości roboczej w Hz, a f jest częstotliwością roboczą w MHz;
Uwaga: Pozycja 3A002.d. nie obejmuje kontrolą urządzeń, w których częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie lub odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów kwarcowych, bądź poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku.
e. Analizatory sieci o maksymalnej częstotliwości roboczej powyżej 43,5 GHz;
f. Kontrolne odbiorniki mikrofalowe posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Maksymalną częstotliwość roboczą powyżej 43,5 GHz; oraz
2. Mające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;
g. Atomowe wzorce częstotliwości posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Stabilność długookresowa (starzenie) mniejszą (lepszą) niż 1 × 10-11/ miesiąc; lub
2. Właściwości „klasy kosmicznej”.
Uwaga: Pozycja 3A002.g.1. nie obejmuje kontrolą rubidowych wzorców częstotliwości, niebędących klasy kosmicznej”.
3A101 Następujące urządzenia, przyrządy i podzespoły, inne niż te określone w pozycji 3A001:
a. Przetworniki analogowo - cyfrowe, znajdujące zastosowanie w „pociskach”, spełniające wojskowe warunki techniczne dla urządzeń wytrzymałych na wstrząsy;
b. Akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2 MeV lub większej, oraz instalacje, w których skład wchodzą takie akceleratory.
Uwaga: Pozycja 3A101.b. nie obejmuje urządzeń specjalnie skonstruowanych do zastosowań medycznych.
3A201 Następujące podzespoły elektroniczne, inne niż te określone w pozycji 3A001;
a. Kondensatory posiadające jeden z następujących zespołów właściwości:
1. a. Napięcie znamionowe powyżej 1,4 kV;
b. Zmagazynowana energia powyżej 10 J;
c. Reaktancja pojemnościowa powyżej 0,5 µF; oraz
d. Indukcyjność szeregowa poniżej 50 nH; lub
2. a. Napięcie znamionowe powyżej 750 V;
b. Reaktancja pojemnościowa powyżej 0,25 µF; oraz
c. Indukcyjność szeregowa poniżej 10 nH;
b. Nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu powyżej 2 T;
2 O stosunku długości do średnicy wewnętrznej większym od 2;
3. O średnicy wewnętrznej powyżej 300 mm; oraz
4. Wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1% w zakresie środkowych 50% objętości wewnętrznej;
Uwaga: Pozycja 3A201.b. nie obejmuje kontrolą magnesów specjalnie skonstruowanych i wywożonych „jako części” medyczne instalacji do tworzenia obrazów metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie jako części niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej przesyłki; dopuszcza się możliwość oddzielnych przesyłek z różnych źródeł, pod warunkiem, że w towarzyszących im dokumentach wywozowych wyraźnie określa się, że przesyłki są wysyłane „jako część” instalacji do wytwarzania obrazów.
c. Urządzenia rentgenowskie typu impulsowego lub impulsowe akceleratory elektronów posiadające jeden z następujących zestawów właściwości:
1. a. Szczytową energię akceleratora elektronów 500 keV lub większą, ale poniżej 25 MeV; oraz
b. „Współczynnik dobroci” (K) 0,25 lub większy; lub
2. a. Szczytową energię akceleratora elektronów 25 MeV lub większą; oraz
b. „Szczytową moc” powyżej 50 MW.
Uwaga: Pozycja 3A201.c. nie obejmuje kontrolą akceleratorów stanowiących zespoły składowe urządzeń skonstruowanych z przeznaczeniem do innych celów niż wytwarzanie wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (na przykład mikroskopy elektronowe) oraz urządzeń do zastosowań medycznych:
Uwagi techniczne:
1. Współczynnik dobroci K określony jest następująco:
K = 1,7 × 103V2,65Q
gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów.
Q jest całkowitym przyspieszanym ładunkiem w kulombach, jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora wynosi poniżej 1µs lub jest jej równy. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest dłuższy niż 1 µs, Q jest maksymalnym przyspieszanym ładunkiem w 1 µs.
Q równa się całce z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości - 1 µs lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = ∫ idt), gdzie i jest natężeniem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach.
2. „Moc szczytowa” = (napięcie szczytowe w woltach) × (szczytowy prąd wiązki w amperach).
3. W akceleratorach działających na zasadzie rezonatora mikrofalowego, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości - 1 µs lub czas trwania pakietu wiązek wynikający z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
4. W akceleratorach działających na zasadzie rezonatora mikrofalowego szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią prądu podczas trwania pakietu wiązek.
3A225 Przemienniki częstotliwości lub generatory, inne niż określone w pozycji 0B001.b.13., posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. Wyjście wielofazowe umożliwiające uzyskanie mocy 40 W lub większej;
b. Zdolność do pracy w zakresie częstotliwości 600 i 2 000 Hz;
c. Całkowite zniekształcenie harmoniczne lepsze (niższe) niż 10%; oraz
d. Regulacja częstotliwości lepsza (niższa) niż 0,1%.
Uwaga techniczna:
Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225, nazywane są również konwerterami lub przetwornicami.
3A226 Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, inne niż określone w pozycji 0B001.j.6., posiadające obie następujące właściwości:
a. Zdolne do ciągłego wytwarzania, w okresie czasu wynoszącym 8 godzin, napięcia 100 V lub większego z wyjściem o natężeniu 500 A lub większym; oraz
b. O stabilności prądu lub napięcia w ciągu 8 godzin lepszej niż 0,1%.
3A227 Wysokonapięciowe zasilacze prądu stałego, inne niż określone w pozycji 0B001.j.5., posiadające obie następujące właściwości:
a. Zdolne do ciągłego wytwarzania, w okresie czasu wynoszącym 8 godzin, napięcia 20 kV lub większego z wyjściem o natężeniu 1 A lub większym; oraz
b. O stabilności prądu lub napięcia w ciągu 8 godzin z dokładnością większą niż 0,1%.
3A228 Następujące urządzenia przełączające:
a. Lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez względu na to, czy są napełnione gazem czy też nie, pracujące podobnie do iskiernika, posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Posiadające trzy lub więcej elektrod;
2. Szczytową wartość napięcia anody 2,5 kV lub więcej;
3. Szczytową wartość natężenia prądu anodowego 100 A lub więcej; oraz
4. Czas zwłoki dla anody 10 µs lub mniej;
Uwaga: Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe.
b. Iskierniki wyzwalane posiadające obie następujące właściwości:
1. Czas zwłoki dla anody 15 µs lub krótszy; oraz
2. Dostosowane do prądów o natężeniach szczytowych 500 A lub większych;
c. Moduły lub zespoły do szybkiego przełączania funkcji posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Szczytową wartość napięcia anody powyżej 2 kV;
2. Szczytową wartość natężenia prądu anodowego 500 A lub więcej; oraz
3. Czas włączania 1 µs lub krótszy.
3A229 Następujące instalacje zapłonowe i równoważne generatory impulsów wysokoprądowych:
UWAGA: PATRZ TAKŻE WYKAZ KONTROLNY UZBROJENIA.
a. Instalacje zapłonowe do detonatorów wielokrotnych typu objętego kontrolą według pozycji 3A232;
b. Modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Przeznaczone do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy;
2. Umieszczone w obudowie pyłoszczelnej;
3. Znamionowa energia wyładowania w czasie poniżej 15 µs;
4. Prąd wyładowania powyżej 100 A;
5. ‘Czas narastania’ poniżej 10 µs przy obciążeniu poniżej 40 omów;
6. Żaden z wymiarów nie przekracza 254 mm;
7. Ciężar poniżej 25 kg; oraz
8. Przeznaczone do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur od 223 K (-50 °C) do 373 K (100 °C), lub nadające się do stosowania w przestrzeni kosmicznej.
Uwaga: Pozycja 3A229.b. obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp błyskowych.
Uwaga techniczna:
W pozycji 3A229.b.5. czas narastania definiuje się jako przedział czasowy w zakresie 10-90% amplitudy natężenia prądu w przypadku zasilania obciążenia opornościowego.
3A230 Szybkie generatory impulsowe posiadające obie następujące właściwości:
a. Napięcie wyjściowe powyżej 6 V przy obciążeniu opornościowym poniżej 55 omów; oraz
b. ‘Czas narastania impulsów’ poniżej 500 ps.
Uwaga techniczna:
W pozycji 3A230 czas przesyłania impulsów określony jest jako przedział czasowy między 10% a 90% amplitudy napięcia.
3A231 Generatory neutronów, w tym lampy, posiadające obie następujące właściwości:
a. Przeznaczone do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych; oraz
b. W których zastosowano przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej trytu z deuterem.
3A232 Następujące detonatory i wielopunktowe instalacje inicjujące:
UWAGA: PATRZ TAKŻE WYKAZ KONTROLNY UZBROJENIA.
a. Następujące zapłonniki elektryczne:
1. Eksplodujące mostki (EB);
2. Eksplodujące połączenia mostkowe (EBW);
3. Zapłonniki udarowe;
4. Eksplodujące zapłonniki foliowe (EFI);
b. Instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów na obszarze większym od 5 000 mm2 za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego o opóźnieniu synchronizacji sygnału zapłonowego na całej powierzchni poniżej 2,5 µs.
Uwaga: Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrolą detonatorów, w których stosuje się wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, np. azydek ołowiawy.
Uwaga techniczna:
W detonatorach objętych kontrolą w pozycji 3A232 stosowane są małe przewodniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokoprądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych, wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną w zetknięciu się z materiałem burzącym, takim jak PETN (tetraazotan pentaerytrytu). W detonatorach udarowych wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok pilota przez szczelinę, a uderzenie pilota w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach pilot jest napędzany siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych. Także czasami zamiast słowa inicjator używa się słowa detonator.
3A233 Następujące spektrometry masowe, inne niż określone w pozycji 0B002.g., zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 jednostek mas atomowych lub większej i posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 części na 230 oraz źródła jonów do nich:
a. Plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);
b. Jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);
c. Termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);
d. Spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami, posiadające komorę ze źródłem elektronów wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;
e. Spektrometry masowe z wiązką molekularną posiadające jedną z następujących właściwości:
1. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną ze stali nierdzewnej lub molibdenu lub wykładaną lub powlekaną takimi materiałami i wyposażone w wymrażarkę umożliwiającą chłodzenie do 193 K (-80 °C) lub poniżej; lub
2. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;
f. Spektrometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji skonstruowane z przeznaczeniem do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.
3B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
3B001 Następujące urządzenia do produkcji lub testowania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły i akcesoria:
a. Następujące urządzenia „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” do osadzania warstwy epitaksjalnej:
1. Urządzenia umożliwiające wytwarzanie warstw o równomiernej grubości z dokładnością poniżej ± 2,5% na odcinku o długości 75 mm lub większej;
2. Reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD) specjalnie przeznaczone do wytwarzania kryształów półprzewodników ze związków dzięki reakcji chemicznej między materiałami określonymi w pozycjach 3C003 lub 3C004;
3. Urządzenia do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego za pomocą wiązki molekularnej;
b. Urządzenia „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” przeznaczone do implantacji jonów, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
1. Energia wiązki (napięcie przyspieszające) powyżej 1 MeV;
2. Specjalne przeznaczenie i zoptymalizowanie do działania przy energii wiązki (napięciach przyspieszających) poniżej 2 keV;
3. Możliwość bezpośredniego zapisu; lub
4. Zdolność do wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
c. Następujące urządzenia „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej:
1. Urządzenia typu kaseta - kaseta i załaduj - zamknij, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Skonstruowane lub zoptymalizowane pod kątem wytworzenia wymiarów krytycznych rzędu 0,3 µm, z dokładnością ± 5% 3 sigma; lub
b. Skonstruowane do wytworzenia poniżej 0,04 cząstek/cm2, przy mierzalnej średnicy cząstek wynoszącej powyżej 0,1 µm;
2. Urządzenia specjalnie skonstruowane do urządzeń określonych w pozycji 3B001.e., posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Skonstruowane lub zoptymalizowane pod kątem wytworzenia wymiarów krytycznych rzędu 0,3 µm, z dokładnością ± 5% 3 sigma; lub
b. Skonstruowane do wytworzenia poniżej 0,04 cząstek/cm2, przy mierzalnej średnicy cząstek wynoszącej powyżej 0,1 µm;
d. Następujące urządzenia „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” do intensyfikowanego za pomocą plazmy CVD:
1. Urządzenia typu kaseta-kaseta i załaduj - zamknij, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Skonstruowane zgodnie ze specyfikacją producenta lub zoptymalizowane pod kątem wytworzenia wymiarów krytycznych rzędu 0,3 µm, z dokładnością ± 5% 3 sigma; lub
b. Skonstruowane do wytworzenia poniżej 0,04 cząstek/cm2, przy mierzalnej średnicy cząstek wynoszącej powyżej 0,1 µm;
2. Urządzenia specjalnie skonstruowane do urządzeń określonych w pozycji 3B001.e., posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Skonstruowane zgodnie ze specyfikacją producenta lub zoptymalizowane pod kątem wytworzenia wymiarów krytycznych rzędu 0,3 µm, z dokładnością ± 5% 3 sigma; lub
b. Skonstruowane do wytworzenia poniżej 0,04 cząstek/cm2, przy mierzalnej średnicy cząstek wynoszącej powyżej 0,1 µm;
e. Urządzenia „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” do centralnego sterowania automatycznymi zespołami do obsługi wielokomorowych urządzeń do wytwarzania płytek elektronicznych, posiadające wszystkie następujące właściwości:
1. Interfejsy wejściowe na płytki i wyjściowe z nich, umożliwiające podłączenie powyżej dwóch zespołów półprzewodnikowych urządzeń produkcyjnych; oraz
2. Przeznaczone do tworzenia zintegrowanego systemu działającego w warunkach próżni, do sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania;
Uwaga: Pozycja 3B001.e. nie obejmuje kontrolą automatycznych, zrobotyzowanych urządzeń do wytwarzania płytek elektronicznych, niemających możliwości działania w warunkach próżni.
f. Następujące urządzenia litograficzne „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci”:
1. Powielające urządzenia regulująco-naświetlające (bezpośrednie działanie na płytkę) lub urządzenia skanujące (skanery) do przetwarzania za pomocą płytki metodą fotooptyczną lub za pomocą promieni rentgenowskich, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Źródło światła o długości fali poniżej 350 nm; lub
b. Zdolne do wytwarzania wzorów o „minimalnej rozdzielczości wymiarowej” 0,35 µm lub mniejszej;
Uwaga techniczna:
Minimalna rozdzielczość wymiarowa obliczana jest według poniższego wzoru:



MFR


=

(długość fali źródła promieniowania stosowanego do naświetlania w µm) x (współczynnik K)

apertura liczbowa


gdzie współczynnik K = 0,7
MRF = minimalna rozdzielczość wymiarowa
2. Urządzenia specjalnie skonstruowane do wytwarzania masek lub przyrządów półprzewodnikowych za pomocą odchylanej, zogniskowanej wiązki elektronów, jonów lub „laserowej”, posiadające jakąkolwiek z następujących właściwości:
a. Aperturę plamki poniżej 0,2 µm;
b. Zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 µm; lub
c. Dokładność nakładania lepszą niż ± 0,20 µm (3 sigma);
g. Maski i siatki optyczne do układów scalonych określone w pozycji 3A001;
h. Maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym.
3B002 Następujące urządzenia testujące „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci”, specjalnie skonstruowane do testowania wykończonych i niewykończonych elementów półprzewodnikowych oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły i akcesoria:
a. Do testowania parametrów S urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;


  1. Do testowania układów scalonych i ich zespołów zdolne do testowania funkcjonalnego (tabela logiczna) z ‘szybkością wzorca’ powyżej 333 MHz;


Uwaga: Pozycja 3B002.b. nie obejmuje kontroli urządzeń testujących specjalnie skonstruowanych do:
1. Zespołów elektronicznych lub klasy zespołów elektronicznych do zastosowań domowych lub rozrywkowych;
2. Nie objętych kontrolą elementów elektronicznych, zespołów elektronicznych lub układów scalonych;
3. Pamięci.
Uwaga techniczna:
Do celów niniejszego punktu ‘szybkość wzorca’ określana jest jako maksymalna częstotliwość operacji cyfrowych testera. Dlatego jest ona równoważna największej szybkości przesyłania danych z jaką tester może działać w trybie niemultipleksowym. Jest ona także określana jako prędkość testowania, maksymalna częstotliwość cyfrowa lub maksymalna szybkość cyfrowa.
c. Do testowania mikrofalowych układów scalonych określonych w pozycji 3A001.b.2.
3C Materiały
3C001 Materiały heteroepitaksjalne składające się z „podłoża” i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z jakiegokolwiek następującego materiału:
a. Krzem;
b. German;
c. Węglik krzemu; lub
d. Związki III/V galu lub indu.
Uwaga techniczna:
Związki III/V są substancjami polikrystalicznymi albo binarnymi lub złożonymi substancjami monokrystalicznymi składającymi się z pierwiastków grupy IIIA i VA według układu okresowego Mendelejewa (arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu itp).
3C002 Następujące materiały fotorezystywne i „podłoża” powlekane materiałami ochronnymi objętymi kontrolą:
a. Materiały fotorezystywne pozytywowe do litografii półprzewodnikowej o wrażliwości widmowej specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) pod kątem stosowania w zakresie poniżej 350 nm;
b. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku w przypadku stosowania wiązki elektronowej albo jonowej, o czułości 0,01 µkulomba/mm2 lub lepszej;
c. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku w przypadku stosowania promieni rentgenowskich, posiadające czułość 2,5 mJ/mm2 lub lepszą;
d. Wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane z przeznaczeniem do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych, włącznie z fotorezystami ‘siliatowanymi’.
Uwaga techniczna:
Techniki siliatowania określa się jako procesy utleniania powierzchni materiałów fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrów zarówno podczas wywoływania na sucho, jak i na mokro.
3C003 Następujące związki organiczno - nieorganiczne:
a. Materiały metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999%;
b. Związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie związku nieorganicznego) lepszej niż 99,999%.
Uwaga: Pozycja 3C003 obejmuje kontroli wyłącznie związki, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły.
3C004 Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości lepszej niż 99,999%, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze.
Uwaga: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontroli wodorków zawierających molowo 20%, lub więcej, gazów obojętnych rzadkich lub wodoru.
3D Oprogramowanie
3D001 „Oprogramowanie” specjalnie przeznaczone do „rozwoju” lub „produkcji” urządzeń określonych w pozycji 3A001.b.-3A002.g., lub 3B.
3D002 „Oprogramowanie” specjalnie przeznaczone do „użytkowania” urządzeń „ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci” określonych w pozycji 3B.
3D003 „Oprogramowanie” wspomaganego komputerowo projektowania (CAD) posiadające wszystkie następujące właściwości:
a. opracowane do „rozwoju” urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych; oraz
b. opracowane do wykonywania lub użytkowania jednego z następujących elementów:
1. Reguł projektowania lub reguł weryfikacji obwodów;
2. Symulacji układów na poziomie projektu struktury fizycznej; lub
3. ‘Symulatorów procesów litograficznych’ na potrzeby projektowania.
Uwaga techniczna:
Symulator procesów litograficznych’ jest to pakiet oprogramowania określający w fazie projektowania kolejność procesów litografii, trawienia i osadzania w celu przekształcenia geometrycznych kształtów na maskach w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych.
Uwaga 1: Pozycja 3D003 nie obejmuje kontrolą oprogramowania opracowanego specjalnie do wprowadzania schematów układów, symulacji logicznej, projektowania rozmieszczenia i połączeń, weryfikacji topografii oraz taśm sterujących generatorami masek.
Uwaga 2: Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania przyrządów półprzewodnikowych lub układów scalonych są zaliczane do technologii”.
3D101 „Oprogramowanie” specjalnie opracowane lub zmodyfikowane do „użytkowania” urządzeń określonych w pozycji 3A101.b.
3E Technologia
3E001 „Technologie” według Uwagi Ogólnej do Technologii do „rozwoju” lub „produkcji” urządzeń lub materiałów określonych w pozycjach 3A, 3B lub 3C;
Uwaga: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontroli „technologii” do „rozwoju” lub „produkcji” następujących:
a. Tranzystorów mikrofalowych działających w zakresie częstotliwości poniżej 31 GHz;
b. Układów scalonych określonych w pozycjach 3A001.a.3.-3A001.a.12., posiadających wszystkie następujące właściwości:


        1. Zastosowano „technologie” na poziomie 0,5 µm lub więcej, oraz

        2. Nie mają ‘budowy wielowarstwowej’.


Uwaga techniczna:
Pojęcia budowa wielowarstwowa w uwadze b.2. do pozycji 3E001 nie stosuje się do układów posiadających maksymalnie dwie warstwy metaliczne i dwie warstwy polikrzemowe.
3E002 „Technologie” zgodnie z Uwagą Ogólną do Technologii, inne niż wymienione w 3E001 do „rozwoju” lub „produkcji” „mikroukładów mikroprocesorowych”, „mikroukładów mikrokomputerowych” i mikroukłady mikrosterowników mających „kombinowaną teoretyczną moc obliczeniową” („CTP”) 530 millionów teoretycznych operacji na sekundę (Mtops) lub więcej i jednostki artymentyczno-logiczne z szyną dostępu 32 bity lub więcej.
3E003 Inne „technologie” do „rozwoju” lub „produkcji” następujących:

a. Próżniowych przyrządów mikroelektronicznych;

b. Heterostrukturalnych elementów półprzewodnikowych takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), elementy z jamą kwantową i elementy nadstrukturalne;

c. „Nadprzewodnikowych” przyrządów elektronicznych;

d. Podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych;

e. Podłoży „krzem na izolatorze” (SOI), gdzie izolatorem jest ditlenek krzemu, do układów scalonych;

f. Podłoży z węglika krzemu dla elementów elektronicznych;

g. Elektronowych lamp próżniowych pracujących przy częstotliwości 31 GHz lub większej


3E101 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii do „użytkowania” urządzeń lub „oprogramowania” określonego w pozycjach 3A001.a.1. lub 2., 3A101 lub 3D101.
3E102 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii do „rozwoju” „oprogramowania” określonego w pozycji 3D101.
3E201 „Technologia” według Uwagi Ogólnej do Technologii do „użytkowania” urządzeń określonych w pozycjach 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225-3A233.


KATEGORIA 4


: enlargement -> ccvista
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 1607/2003 z dnia 12 września 2003 r zmieniające po raz dwudziesty drugi rozporządzenie Rady (WE) nr 881/2002 wprowadzające niektóre
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 1724/2003 z dnia 29 września 2003 r zmieniające po raz dwudziesty trzeci rozporządzenie Rady (WE) nr 881/2002 wprowadzające niektóre
ccvista -> ProtokóŁ dotyczący współpracy w zwalczaniu zanieczyszczenia Morza Śródziemnego olejami I innymi substancjami szkodliwymi w nagłych przypadkach
ccvista -> Uzgodniony protokóŁ nr 5
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Decyzja komisji
ccvista -> Rozporządzenie rady (WE) nr 1470/2001 z dnia 16 lipca 2001 r nakładające ostateczne cło antydumpingowe I stanowiące o ostatecznym poborze cła tymczasowego nałożonego na przywóz świetlówek kompaktowych ze scaloną elektroniką (cfl)
ccvista -> Rozporządzenie komisji (WE) nr 2593/2001 z dnia 28 grudnia 2001 r zmieniające rozporządzenie (WE) nr 909/2001 w odniesieniu do rejestrowania przywozu glifosatu wytwarzanego przez jednego malezyjskiego I jednego tajwańskiego producenta dokonującego
ccvista -> Decyzja komisji


1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   15


©absta.pl 2019
wyślij wiadomość

    Strona główna